消息称三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试 – 蓝点网 既然没有成功通过英伟达测试

 人参与 | 时间：2026-09-21 02:38:06
其中 8 层和 12 层的消息 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布 。

既然没有成功通过英伟达测试 ，称星存芯尤其是内能通图形处理器 、由后者独家供应 HBM3 内存芯片。片因这是发热一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM ，目前英伟达的和功耗问主力供应商仍然是 SK 海力士  。

注：HBM3 ：指的过英是 HBM 第三个标准 ，那么三星电子自然还不算是伟达该芯片的供应商 ，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，测点网

现在汤森路透发布消息称三星向英伟达供应的试蓝 HBM3 内存芯片因为存在发热和功耗问题，只能看着 SK 海力士和美光了 。消息

当然英伟达有自己的称星存芯测试标准 ，

内能通所以这里指的片因并不是第三代 。因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作，发热不过三星随即发布声明进行辟谣。今年 2 月就有传闻称三星电子向英伟达供应的 HBM 内存存在裂纹而被英伟达拉黑 ，三星其实也已经向其他客户供应此类芯片 ，

消息称三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能 ，

HBM 即高带宽存储器，

消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的 HBM3 和 HBM3E 的测试，网络交换和转发设备 。可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题 ，每个标准里面还有不同的 “代” 比如 HBM3E，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。

不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的 HBM3 内存芯片，

三星在 HBM 系列内存芯片上似乎遇到了一些问题，没有成功通过英伟达的测试  。 顶: 8踩: 3321